Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

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書誌詳細
主要な著者: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
フォーマット: 雑誌
言語:英語
出版事項: Journal of vacuum science & technology B 2020
主題:
オンライン・アクセス:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
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要約:International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628