Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

Uloženo v:
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
Médium: Časopis
Jazyk:angličtina
Vydáno: Journal of vacuum science & technology B 2020
Témata:
transient spectroscopy
the dry etching
Arrhenius plot activation energies,
On-line přístup:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
Tagy: Přidat tag
Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Podobné jednotky

Podobné jednotky