Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

Αποθηκεύτηκε σε:
Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριοι συγγραφείς: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
Μορφή: Επιστημονικό περιοδικό
Γλώσσα:Αγγλικά
Έκδοση: Journal of vacuum science & technology B 2020
Θέματα:
transient spectroscopy
the dry etching
Arrhenius plot activation energies,
Διαθέσιμο Online:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
Ετικέτες: Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!

Παρόμοια τεκμήρια

Παρόμοια τεκμήρια