Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

שמור ב:
מידע ביבליוגרפי
Main Authors: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
פורמט: כתב-עת
שפה:אנגלית
יצא לאור: Journal of vacuum science & technology B 2020
נושאים:
transient spectroscopy
the dry etching
Arrhenius plot activation energies,
גישה מקוונת:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
תגים: הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!

פריטים דומים

פריטים דומים