Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Автори: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
Формат: Журнал
Мова:Англійська
Опубліковано: Journal of vacuum science & technology B 2020
Предмети:
transient spectroscopy
the dry etching
Arrhenius plot activation energies,
Онлайн доступ:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!

Схожі ресурси

Схожі ресурси