Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
محفوظ في:
| المؤلفون الرئيسيون: | , , , |
|---|---|
| التنسيق: | دورية |
| اللغة: | الإنجليزية |
| منشور في: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
كن أول من يترك تعليقا!