Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
সংরক্ষণ করুন:
| প্রধান লেখক: | , , , |
|---|---|
| বিন্যাস: | পত্রিকা |
| ভাষা: | ইংরেজি |
| প্রকাশিত: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| ট্যাগগুলো: |
ট্যাগ যুক্ত করুন
কোনো ট্যাগ নেই, প্রথমজন হিসাবে ট্যাগ করুন!
|
প্রথমজন হিসাবে মন্তব্য করুন!