Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Saved in:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| Format: | Tidsskrift |
| Sprog: | engelsk |
| Udgivet: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Fag: | |
| Online adgang: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Tags: |
Tilføj Tag
Ingen Tags, Vær først til at tagge denne postø!
|
Vær først til at give en kommentarø!