Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Gespeichert in:
| Hauptverfasser: | , , , |
|---|---|
| Format: | Zeitschrift |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
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| Schlagworte: | |
| Online-Zugang: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
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