Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Tallennettuna:
| Päätekijät: | , , , |
|---|---|
| Aineistotyyppi: | Aikakauslehti |
| Kieli: | englanti |
| Julkaistu: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Aiheet: | |
| Linkit: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Tagit: |
Lisää tagi
Ei tageja, Lisää ensimmäinen tagi!
|
Lisää ensimmäinen kommentti!