Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
שמור ב:
| Main Authors: | , , , |
|---|---|
| פורמט: | כתב-עת |
| שפה: | אנגלית |
| יצא לאור: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| נושאים: | |
| גישה מקוונת: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| תגים: |
הוספת תג
אין תגיות, היה/י הראשונ/ה לתייג את הרשומה!
|
היה/י הראשונ/ה לכתוב הערה!