Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Bewaard in:
| Hoofdauteurs: | , , , |
|---|---|
| Formaat: | Tijdschrift |
| Taal: | Engels |
| Gepubliceerd in: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Onderwerpen: | |
| Online toegang: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Tags: |
Voeg label toe
Geen labels, Wees de eerste die dit record labelt!
|
Wees de eerste die reageert!