Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Сохранить в:
| Главные авторы: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Журнал |
| Язык: | английский |
| Опубликовано: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Предметы: | |
| Online-ссылка: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Метки: |
Добавить метку
Нет меток, Требуется 1-ая метка записи!
|
Ваш комментарий будет первым!