Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Sparad:
| Huvudupphovsmän: | , , , |
|---|---|
| Materialtyp: | Tidskrift |
| Språk: | engelska |
| Publicerad: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Taggar: |
Lägg till en tagg
Inga taggar, Lägg till första taggen!
|
Lägg till första kommentaren!