Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Збережено в:
| Автори: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Журнал |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Будьте першим, хто залишить коментар!