Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Đã lưu trong:
| Những tác giả chính: | , , , |
|---|---|
| Định dạng: | Tạp chí |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Anh |
| Được phát hành: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Các nhãn: |
Thêm thẻ
Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!
|
Là người đầu tiên ghi lời nhận xét!