Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

Uloženo v:

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
Médium:	Časopis
Jazyk:	angličtina
Vydáno:	Journal of vacuum science & technology B 2020
Témata:	transient spectroscopy the dry etching Arrhenius plot activation energies,
On-line přístup:	https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
Tagy:	Přidat tag Žádné tagy, Buďte první, kdo vytvoří štítek k tomuto záznamu!

Internet