Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Αποθηκεύτηκε σε:
| Κύριοι συγγραφείς: | , , , |
|---|---|
| Μορφή: | Επιστημονικό περιοδικό |
| Γλώσσα: | Αγγλικά |
| Έκδοση: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Θέματα: | |
| Διαθέσιμο Online: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Ετικέτες: |
Προσθήκη ετικέτας
Δεν υπάρχουν, Καταχωρήστε ετικέτα πρώτοι!
|