Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma

International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628

Պահպանված է:
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Adegboyega, G., Perez, I.V, Poggi, Antonella, Susi, E
Ձևաչափ: Ամսագիր
Լեզու:անգլերեն
Հրապարակվել է: Journal of vacuum science & technology B 2020
Խորագրեր:
transient spectroscopy
the dry etching
Arrhenius plot activation energies,
Առցանց հասանելիություն:https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091
Ցուցիչներ: Ավելացրեք ցուցիչ
Չկան պիտակներ, Եղեք առաջինը, ով նշում է այս գրառումը!

Համացանց

https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091

Նմանատիպ նյութեր