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1
Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
par
Adegboyega, G.
,
Perez, I.V
,
Poggi, Antonella
,
Susi, E
Publié 2020
Sujets:
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Revue
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Format
Revue
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Auteur
Adegboyega, G.
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Perez, I.V
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Poggi, Antonella
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Susi, E
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Langue
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