Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
Kaydedildi:
| Asıl Yazarlar: | , , , |
|---|---|
| Materyal Türü: | Dergi |
| Dil: | İngilizce |
| Baskı/Yayın Bilgisi: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Konular: | |
| Online Erişim: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Etiketler: |
Etiketle
Etiket eklenmemiş, İlk siz ekleyin!
|
İlk yorumlayan siz olun!