Deep level transient spectroscopy study of the damage induced in n-type silicon by a gate oxide etching in a CHF3/Ar plasma
International Journal of vacuum science & technology B 15(3):623 - 628
-д хадгалсан:
| Үндсэн зохиолчид: | , , , |
|---|---|
| Формат: | Сэтгүүл |
| Хэл сонгох: | англи |
| Хэвлэсэн: |
Journal of vacuum science & technology B
2020
|
| Нөхцлүүд: | |
| Онлайн хандалт: | https://ir.oauife.edu.ng/handle/123456789/5091 |
| Шошгууд: |
Шошго нэмэх
Шошго байхгүй, Энэхүү баримтыг шошголох эхний хүн болох!
|
Хамгийн түрүүнд сэтгэгдэл үлдээх!